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| 产品相片 |
TO-220-3, TO-220AB |
|---|---|
| 产品培训模块 |
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
标准包装 
|
50 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
|
包装
|
管件
|
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 9.3A （Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值） | 300 毫欧 @ 5.4A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 35nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 575pF @ 25V |
| 功率 - 值 | 82W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 产品目录页面 |
1518 (CN2011-ZH PDF) |
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